正面







下面是背面的細節(jié)圖：

iPhone 6 Plus 主板和零件大圖：

正面細節(jié)圖：





背面細節(jié)圖：

NFC 控制器：

NXP                       NXP
2012                       2012
7PN547V0B         7PN548V0C

6軸加速計和陀螺儀

　　過去在 iPhone 內(nèi)置的指南針一直是 AKM 半導體公司的芯片。三星、LG、摩托羅拉、華為、中興等廠商也都是用 AKM 的指南針。但是令人費解的是，在 PCB 找不到 AKM 零件的影子，只看到 InvenSense MPU7 系列傳感器，旁邊則是一塊 2mm x 2mm 的博世傳感器裝置。起初誤以為這是 eCompass 指南針芯片，但封裝尺寸和標記跟博世網(wǎng)站公布的又不符。經(jīng)過剖析發(fā)現(xiàn)，這跟許多手機內(nèi)置的 BMA280（博世的加速計）很像。問題出現(xiàn)了：指南針哪兒去了？為什么蘋果要在手機內(nèi)置兩個加速計？

A8 芯片

　　下面到大家最關(guān)注的 A8 芯片了。蘋果表示，A8 芯片內(nèi)置 20 億個晶體管（是A7的兩倍），采用了 TSMC 的 20納米制程。大小有 89mm²，比 A7 小 13%（A7 是 102 mm²）。A8 在 CPU 處理速度提升 25%，圖形顯示速度提升 50%。如果跟第一代 iPhone 相比，CPU 速度超出其 50 倍，圖形顯示速度超出 84 倍。在能源效率方面，A8 比 A7 提升 50%，希望這是大屏 iPhone 能夠控制耗電的好兆頭。

　　我們看到的是 PoP 封裝的內(nèi)存部分，實際的 A8 芯片藏在底下。封裝的標記透露出以下信息：一，蘋果改變了慣用的零件編號，通常是“98”為后綴，比如 A4 編號 APL0398，A5 是 APL0498，到現(xiàn)在 A8 是 APL 1011；另外，頂端部分的 DRAM 僅 1GB，相比之下，其他手機至少有 3GB。

　　A8 封裝底部的標記跟正面的不同。日期代碼是 1434，意味著這一芯片從封裝工廠運往富士康代工廠，再擺上零售店貨架，歷時僅 6 周。

　　A8 延續(xù)了從 A7 開始的三排焊接球，以前只有兩排，因為芯片的圖形處理能力增強了，產(chǎn)生的熱量也越多，所以要采用這樣的設計。頂層封裝的存儲器沒有改變。

　　A8 模具尺寸 8.5mm x 10.5mm = 89.25mm²。目前還沒能百分百證明這是由臺積電代工的。截面圖表明，有 10 層金屬堆棧。

　　可以肯定的是，接觸點的間距小于 90納米，跟高通的 MDM9235 相符，他們的 20 納米制程的芯片就是由臺積電代工的。接觸點的間距是測量一臺設備芯片制造工藝節(jié)點，由此得出這一芯片是采用什么制程的制造工藝。

iSight 和 FaceTime 攝像頭

　　以上就是蘋果iPhone 6/ 6 Plus各個芯片大剖析圖，謝謝大家閱讀！